中国科大发明晶体“自刻蚀”新工艺 突破传统工艺局限[推荐]

中国科学技术大学张树辰特任教授团队联合中外学者，在新型半导体材料领域取得了重要进展。他们首次在二维离子型软晶格材料中实现了面内可编程、原子级平整的“马赛克”式异质结可控构筑，为未来高性能发光和集成器件的研发开辟了全新路径。相关成果于北京时间1月15日在线发表于国际权威学术期刊《自然》。

在半导体领域，能够在材料平面内横向精准构建异质结构是探索新奇物性、研发新型器件及推动器件微型化的关键。然而，以二维卤化物钙钛矿为代表的离子型软晶格半导体，其晶体结构柔软且不稳定，传统光刻加工等技术往往因反应过于剧烈而破坏材料结构，难以实现高质量的横向异质集成。如何在此类材料中实现高质量、可控外延的横向异质结精密加工，是该领域面临的重要科学难题。

面对这一挑战，中国科大研究团队提出并发展了一种引导晶体内应力“自刻蚀”的新方法。研究人员发现，二维钙钛矿单晶在生长过程中会自然累积内部应力。团队巧妙设计了一种温和的配体-溶剂微环境，能够选择性地激活并利用这些内应力，引导单晶在特定位置发生可控的“自刻蚀”，从而形成规则的方形孔洞结构。随后，通过快速外延生长技术，将不同种类的半导体材料精准回填，最终在单一晶片内部构筑出晶格连续、界面原子级平整的高质量“马赛克”异质结。